此客戶是一家面向第三代半導(dǎo)體藍(lán)寶石上氮化鎵（GaN on Sapphire）技術(shù)的專業(yè)襯底材料供應(yīng)商。公司根據(jù)不同的芯片應(yīng)用領(lǐng)域及其外延技術(shù)特征進(jìn)行適配的襯底材料開發(fā)，通過圖形化結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)、不同材料組合應(yīng)用、工藝制程實(shí)現(xiàn)等，為氮化鎵器件提供襯底材料綜合解決方案。

目前，公司主要產(chǎn)品包括2至6英寸圖形化藍(lán)寶石襯底（PSS）、圖形化復(fù)合材料襯底（MMS），主要應(yīng)用于照明、顯示、背光源、Mini/Micro LED、深紫外LED等領(lǐng)域。公司建立了廣東省半導(dǎo)體襯底工程技術(shù)研究開發(fā)中心，圍繞下一代GaN先進(jìn)光電子器件技術(shù)進(jìn)行襯底與外延一體化研發(fā)，開展GaN功率器件用藍(lán)寶石襯底等技術(shù)研究。

FR-Scanner膜厚測(cè)量?jī)x是波長范圍在370-1020nm的可見光干涉測(cè)量，能夠測(cè)量12nm-100um范圍的膜層厚度，準(zhǔn)確度高達(dá)0.1%或1nm，精度為0.02nm，是一款平臺(tái)位移精度高，實(shí)現(xiàn)多點(diǎn)Mapping測(cè)量功能的膜厚測(cè)量設(shè)備，基于8“樣品最快測(cè)量速度可達(dá)300點(diǎn)每分鐘。